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Durch Anklicken der folgenden (blauen) Links können Sie Simulationsbeispiele zu Schaltungen mit Feldeffekt-Transistoren auswählen:

Fet1: Source-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet5: CMOS-Inverter
Fet2: Drain-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet6: CMOS-NAND-Glied
Fet3: Drain-Schaltung mit N-Kanal-MOSFetFet7: CMOS-NOR-Glied
Fet4: Drain-Schaltung mit P-Kanal-MOSFetFet8: 120 W MOSFet-Endstufe




Beispiel Fet1:
PSpice-Simulation einer Verstärkerstufe in Sourceschaltung mit N-Kanal-JFet

Bild 1 zeigt eine Sourceschaltung mit einem N-Kanal-JFet 2N3819. Die Sourceschaltung ist bei Feldeffekttransistoren das, was die Emitterschaltung bei Bipolartransistoren darstellt: Die am häufigsten eingesetzte Schaltung zur Spannungsverstärkung.



Schaltung
Bild 1: Verstärkerstufe in Sourceschaltung



Bild 2 zeigt die Eingangskennlinie des verwendeten N-Kanal-JFet. Bild 3 zeigt das Ausgangskennlinienfeld des Transistors.


Eingangskennlinie
Bild 2: Eingangskennlinie des N-Kanal-JFet 2N3819


Ausgangskennlinienfeld
Bild 3: Ausgangskennlinienfeld des N-Kanal-JFet 2N3819


In Bild 2 sind zwei mögliche Arbeitspunkte mit dem PSpice-Marker gekennzeichnet:

Arbeitspunkt 1: ID = Imax/2 = 6 mA und Ugs = -0,87 V
Arbeitspunkt 2: ID = 9 mA und Ugs = -0,4 V

Arbeitspunkt 1 liegt in der Mitte des möglichen Aussteuerbereichs des Drainstromes und erlaubt somit eine große Aussteuerung des Transistors. Arbeitspunkt 2 liegt im oberen Bereich der Eingangskennlinie, in dem die Steilheit relativ groß ist. Arbeitspunkt 2 liefert folglich eine größere Verstärkung bei geringerer Aussteuerbarkeit.


Die Dimensionierung der Schaltung für Arbeitspunkt 1 ergibt einen Sourcewiderstand Rs = 145 Ω (gewählt 150 Ω) und einen Drainwiderstand Rd = 1.522 kΩ (gewählt: 1,5 kΩ).
Bild 4 zeigt die Ein- und Ausgangsspannung mit der Dimensionierung der Bauelemente für Arbeitspunkt 1. Bild 5 zeigt die Spannungen für Arbeitspunkt 2. Bei einer Aussteuerung mit Uin = 0,75 V ergibt sich für den Arbeitspunkt 1 eine Verstärkung von ca 6.5 (vgl. Bild 4). Bei einer Aussteuerung mit Uin = 0,25 V ergibt sich für den Arbeitspunkt 2 eine Verstärkung von ca 9 (vgl. Bild 5).


Spannungen für Arbeitspunkt 1
Bild 4: Arbeitspunkt 1: Drainpotential, Eingangsspannung und Ausgangsspannung


Spannungen für Arbeitspunkt 2
Bild 5: Arbeitspunkt 2: Drainpotential, Eingangsspannung und Ausgangsspannung




Download der Simulationsdateien zur Source-Schaltung mit N-Kanal-JFet:

Falls Sie die Schaltung simulieren möchten, sich aber vor der Zeichenarbeit scheuen, oder falls Sie mit dem Simulationssetup nicht zurecht kommen, können Sie hier die Source-Schaltung von Bild 1 mit fertigem Simulationssetup im SCHEMATICS- oder im CAPTURE-Format herunterladen. Zur Simulation benötigen Sie die Euromodifikationen zu PSpice, die Bestandteil meines Buches sind.

Damit Sie nach der Simulation automatisch die vorgefertigten Probe-Diagramme erhalten, müssen Sie vor dem Start der Simulation in SCHEMATICS die Option ANALYSIS/PROBE SETUP/RESTORE LAST PROBE SESSION wählen, bzw in CAPTURE im Fenster SIMULATION SETTINGS die Option PROBE WINDOW/SHOW/LAST PLOT.

Für CAPTURE ab V10:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei jfet_source_cap.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus CAPTURE heraus jfet_source.opj:

Laden Sie hier jfet_source_cap.exe (35 kB)


Für SCHEMATICS:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei jfet_source_sch.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus SCHEMATICS heraus jfet_source.sch:

Laden Sie hier jfet_source_sch.exe (28 kB)



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