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Durch Anklicken der folgenden (blauen) Links können Sie Simulationsbeispiele zu Schaltungen mit Feldeffekt-Transistoren auswählen:

Fet1: Source-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet5: CMOS-Inverter
Fet2: Drain-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet6: CMOS-NAND-Glied
Fet3: Drain-Schaltung mit N-Kanal-MOSFetFet7: CMOS-NOR-Glied
Fet4: Drain-Schaltung mit P-Kanal-MOSFetFet8: 120 W MOSFet-Endstufe




Beispiel Fet3:
PSpice-Simulation einer Verstärkerstufe in Drainschaltung mit N-Kanal-Anreicherungs-MOSFet IRF150

Bild 1 zeigt eine Drainschaltung mit einem N-Kanal-Anreicherungs-MOSFet IRF150.



Schaltung

Bild 1: Verstärkerstufe in Drainschaltung




Bild 2 zeigt die Eingangskennlinie des in Bild 1 verwendeten IRF150. Bild 3 zeigt das Ausgangskennlinienfeld des Transistors.


Eingangskennlinie
Bild 2: Eingangskennlinie des des IRF150


Ausgangskennlinienfeld
Bild 3: Ausgangskennlinienfeld des IRF150


Der Arbeitspunkt im Ausgangangskennlinienfeld soll bei UA = 20 V und ID = 4 A liegen. Daraus ergibt sich aus der Eingangskennlinie (Bild 2) eine Gatespannung Ugs = 4,5 V.


Die Dimensionierung der Schaltung ergibt einen Sourcewiderstand Rs = 5 Ω. Der Gate-Spannungsteiler berechnet sich damit zu R1 = 620 Ω und R2 = 1 MegΩ.

Bild 4 zeigt zur Kontrolle die mit dieser Dimensionierung von PSpice berechneten Ströme und Spannungen im Arbeitspunkt.

Schaltung mit Strömen und Spannungen im Arbeitspunkt

Bild 4: Schaltung mit Strömen und Spannungen im Arbeitspunkt.



Bild 5 zeigt die Ein- und Ausgangsspannung und den Drainstrom.


Spannungen für Drainstrom
Bild 5: Eingangsspannung, Ausgangsspannung und Drainstrom der Schaltung von Bild 1




Download der Simulationsdateien zur Drain-Schaltung mit IRF150:

Falls Sie die Schaltung simulieren möchten, sich aber vor der Zeichenarbeit scheuen, oder falls Sie mit dem Simulationssetup nicht zurecht kommen, können Sie hier die Schaltung von Bild 1 mit fertigem Simulationssetup im SCHEMATICS- oder im CAPTURE-Format herunterladen. Zur Simulation benötigen Sie die Euromodifikationen zu PSpice, die Bestandteil meines Buches sind.

Damit Sie nach der Simulation automatisch die vorgefertigten Probe-Diagramme erhalten, müssen Sie vor dem Start der Simulation in SCHEMATICS die Option ANALYSIS/PROBE SETUP/RESTORE LAST PROBE SESSION wählen, bzw in CAPTURE im Fenster SIMULATION SETTINGS die Option PROBE WINDOW/SHOW/LAST PLOT.

Für CAPTURE ab V10:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei mosfet_n_drain_cap.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus CAPTURE heraus mosfet_n_drain.opj:

Laden Sie hier mosfet_n_drain_cap.exe (35 kB)


Für SCHEMATICS:
Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei mosfet_n_drain_sch.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus SCHEMATICS heraus mosfet_n_drain.sch:

Laden Sie hier mosfet_n_drain_sch.exe (28 kB)



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