PSpice-Home über PSpice Simulation und Messung im Vergleich PSpice-Beispiele Gleichrichter Spannungs- verdoppler Spannungs- stabilisierung BJT-Grund- schaltungen Fet-Grund- schaltungen OpAmp-Grund- schaltungen Kippstufen NF-Endstufen Oszillatoren Filter Regler und Regelstrecken Kennlinien Konstantstrom- quellen Regelungstechnik mit PSpice Analog Behavior Modeling (ABM) dies und das Tipps und Tricks PSpice-Links PSpice-Literatur Kontakt Lösungen zu den Aufgaben des Buches Robert Heinemanns PSPICE-Seiten Durch Anklicken der folgenden (blauen) Links können Sie Simulationsbeispiele zu Schaltungen mit Feldeffekt-Transistoren auswählen: Fet1: Source-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet5: CMOS-Inverter Fet2: Drain-Schaltung mit N-Kanal-JFetFet6: CMOS-NAND-Glied Fet3: Drain-Schaltung mit N-Kanal-MOSFetFet7: CMOS-NOR-Glied Fet4: Drain-Schaltung mit P-Kanal-MOSFetFet8: 120 W MOSFet-Endstufe Beispiel Fet4: PSpice-Simulation einer Verstärkerstufe in Drainschaltung mit P-Kanal-Anreicherungs-MOSFet IRF9140 Bild 1 zeigt eine Drainschaltung mit einem P-Kanal-Anreicherungs-MOSFet IRF9140. Da der N-Kanal-Verarmungs-MOSFET IRF150, zu dem es in dieser Beispielsammlung ein Beispiel gibt, und der in der Schaltung von Bild 1 eingesetzte P-Kanal-Verarmungs-MOSFET IRF9140 (weitgehend) komplementäre Typen sind, konnte die Schaltung von Bild 1 sehr einfach dimensioniert werden: Im Vergleich zu der entsprechenden Schaltung mit dem IRF 150 wurde nur der Transistor ausgetauscht und die Versorgungsspannung umgepolt. Bild 1 zeigt die Ströme und Spannungen in dem so erhaltenen Arbeitspunkt, Bild 2 zeigt die Ein- und Ausgangsspannung und den Drainstrom. Bild 1: Verstärkerstufe in Drainschaltung mit Anzeige der Ströme und Spannungen im Arbeitspunkt Bild 2 zeigt die Ein- und Ausgangsspannung und den Drainstrom. Bild 2: Eingangsspannung, Ausgangsspannung (oben) und Drainstrom (unten) der Schaltung von Bild 1 Download der Simulationsdateien zur Drain-Schaltung mit IRF9140: Falls Sie die Schaltung simulieren möchten, sich aber vor der Zeichenarbeit scheuen, oder falls Sie mit dem Simulationssetup nicht zurecht kommen, können Sie hier die Schaltung von Bild 1 mit fertigem Simulationssetup im SCHEMATICS- oder im CAPTURE-Format herunterladen. Zur Simulation benötigen Sie die Euromodifikationen zu PSpice, die Bestandteil meines Buches sind. Damit Sie nach der Simulation automatisch die vorgefertigten Probe-Diagramme erhalten, müssen Sie vor dem Start der Simulation in SCHEMATICS die Option ANALYSIS/PROBE SETUP/RESTORE LAST PROBE SESSION wählen, bzw in CAPTURE im Fenster SIMULATION SETTINGS die Option PROBE WINDOW/SHOW/LAST PLOT. Für CAPTURE ab V10: Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei mosfet_p_drain_cap.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus CAPTURE heraus mosfet_p_drain.opj: Laden Sie hier mosfet_p_drain_cap.exe (35 kB) Für SCHEMATICS: Laden Sie die unten angebotene selbstex- trahierende ZIP-Datei mosfet_p_drain_sch.exe herunter und starten Sie dann die Entpackung durch Doppelklick auf den Dateinamen. Das Entpackprogramm schlägt Ihnen zum Aufbewahren der entpackten Dateien den Ordner PSpice-Beispiele vor. Ein guter Vorschlag. Starten Sie anschließend aus SCHEMATICS heraus mosfet_p_drain.sch: Laden Sie hier mosfet_p_drain_sch.exe (28 kB) Zurück nach: oben